RHU003N03FRAT106

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RHU003N03FRAT106
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS
Especificaciones:	1.RHU003N03FRAT106.pdf 2.RHU003N03FRAT106.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	995903 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 995903 pcs

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Especificaciones de RHU003N03FRAT106

Número de pieza	RHU003N03FRAT106	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	995903 pcs	Ficha de datos	1.RHU003N03FRAT106.pdf 2.RHU003N03FRAT106.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	UMT3
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	1.2 Ohm @ 300mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	200mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-70, SOT-323	Otros nombres	RHU003N03FRAT106TR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW Surface Mount UMT3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)

Modo de transporte
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