RHP030N03T100

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RHP030N03T100
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89
Especificaciones:	1.RHP030N03T100.pdf 2.RHP030N03T100.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	220493 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 220493 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de RHP030N03T100

Número de pieza	RHP030N03T100	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	220493 pcs	Ficha de datos	1.RHP030N03T100.pdf 2.RHP030N03T100.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	MPT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	120 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	500mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-243AA	Otros nombres	RHP030N03T100TR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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