MTB30P06VT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MTB30P06VT4G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
Especificaciones:	MTB30P06VT4G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4181 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4181 pcs

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Especificaciones de MTB30P06VT4G

Número de pieza	MTB30P06VT4G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4181 pcs	Ficha de datos	MTB30P06VT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D2PAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	80 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3W (Ta), 125W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	MTB30P06VT4GOSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2190pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	80nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	P-Channel 60V 30A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)

Modo de transporte
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