RFN10BM3STL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RFN10BM3STL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
Especificaciones:	1.RFN10BM3STL.pdf 2.RFN10BM3STL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	122320 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 122320 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.186

5000 pcs: $0.177

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Especificaciones de RFN10BM3STL

Número de pieza	RFN10BM3STL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 350V 10A TO252	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	122320 pcs	Ficha de datos	1.RFN10BM3STL.pdf 2.RFN10BM3STL.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.5V @ 10A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	350V
Paquete del dispositivo	TO-252	Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	30ns
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	RFN10BM3STLTR	Temperatura de funcionamiento - Junction	150°C (Max)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 350V 10A Surface Mount TO-252	Corriente - Fuga inversa a Vr	10µA @ 350V
Corriente - rectificada media (Io)	10A	Capacitancia Vr, F	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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