RFN10B3STL

Rohm Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RFN10B3STL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Especificaciones:	RFN10B3STL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3971 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3971 pcs

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Especificaciones de RFN10B3STL

Número de pieza	RFN10B3STL	Fabricante	Rohm Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 350V 10A CPD	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3971 pcs	Ficha de datos	RFN10B3STL.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	10A
Tensión - Desglose	CPD	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	RFN10B3STLTR	Temperatura de funcionamiento - Junction	30ns
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	RFN10B3STL	Descripción ampliada	Diode Standard 350V 10A Surface Mount CPD
configuración de diodo	10µA @ 350V	Descripción	DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Corriente - Fuga inversa a Vr	1.5V @ 10A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	350V
Capacitancia Vr, F	150°C (Max)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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