RDD050N20TL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RDD050N20TL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Especificaciones:	RDD050N20TL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	80671 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 80671 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.696

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Especificaciones de RDD050N20TL

Número de pieza	RDD050N20TL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 200V 5A CPT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	80671 pcs	Ficha de datos	RDD050N20TL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	CPT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	720 mOhm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	20W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	RDD050N20TLDKR
Temperatura de funcionamiento	-	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	292pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	9.3nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V
Descripción detallada	N-Channel 200V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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