RDD022N60TL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RDD022N60TL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V CPT
Especificaciones:	RDD022N60TL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	93737 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 93737 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.208

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Especificaciones de RDD022N60TL

Número de pieza	RDD022N60TL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V CPT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	93737 pcs	Ficha de datos	RDD022N60TL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.7V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	CPT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	6.7 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	20W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	175pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)

Modo de transporte
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