DTC123JMT2L

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	DTC123JMT2L
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Especificaciones:	1.DTC123JMT2L.pdf 2.DTC123JMT2L.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1682122 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1682122 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

8000 pcs: $0.02

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Especificaciones de DTC123JMT2L

Número de pieza	DTC123JMT2L	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1682122 pcs	Ficha de datos	1.DTC123JMT2L.pdf 2.DTC123JMT2L.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor	NPN - Pre-Biased	Paquete del dispositivo	VMT3
Serie	-	Resistor - Base del emisor (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms	Potencia - Max	150mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	SOT-723
Otros nombres	DTC123JMT2LTR	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	250MHz
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	500nA	Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA
Número de pieza base	DTC123

Modo de transporte
Después de las ventas
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