DTC123JMFHAT2L

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	DTC123JMFHAT2L
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Especificaciones:	1.DTC123JMFHAT2L.pdf 2.DTC123JMFHAT2L.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1720888 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1720888 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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10 pcs: $0.078

25 pcs: $0.056

100 pcs: $0.044

250 pcs: $0.027

500 pcs: $0.023

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Especificaciones de DTC123JMFHAT2L

Número de pieza	DTC123JMFHAT2L	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1720888 pcs	Ficha de datos	1.DTC123JMFHAT2L.pdf 2.DTC123JMFHAT2L.pdf
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA	Tipo de transistor	NPN - Pre-Biased + Diode
Paquete del dispositivo	VMT3	Serie	Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base del emisor (R2)	47 kOhms	Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Potencia - Max	150mW	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SOT-723	Otros nombres	DTC123JMFHAT2LCT
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	7 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	250MHz	Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V	Corriente - corte del colector (Max)	-
Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA

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