IXTP02N120P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTP02N120P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220
Especificaciones:	IXTP02N120P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	52311 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 52311 pcs

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Especificaciones de IXTP02N120P

Número de pieza	IXTP02N120P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	52311 pcs	Ficha de datos	IXTP02N120P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	Polar™	RDS (Max) @Id, Vgs	75 Ohm @ 100mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	33W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	104pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4.7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V
Descripción detallada	N-Channel 1200V 200mA (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Tc)

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