IXTP01N100D

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTP01N100D
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Especificaciones:	IXTP01N100D.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	35075 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 35075 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.851

50 pcs: $1.488

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Especificaciones de IXTP01N100D

Número de pieza	IXTP01N100D	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	35075 pcs	Ficha de datos	IXTP01N100D.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	110 Ohm @ 50mA, 0V
La disipación de energía (máximo)	1.1W (Ta), 25W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	607074 Q1614635
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 25V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	-	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1000V
Descripción detallada	N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Tc)

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