IXFT60N65X2HV

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFT60N65X2HV
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH
Especificaciones:	IXFT60N65X2HV.pdf
Condición de stock	11508 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11508 pcs

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30 pcs: $3.375

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Especificaciones de IXFT60N65X2HV

Número de pieza	IXFT60N65X2HV	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	11508 pcs	Ficha de datos	IXFT60N65X2HV.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-268HV
Serie	HiPerFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	52 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)	780W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	108nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V	Descripción detallada	N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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