IXFT60N50P3

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFT60N50P3
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 60A TO268
Especificaciones:	IXFT60N50P3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	18469 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18469 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $3.354

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120 pcs: $2.481

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Especificaciones de IXFT60N50P3

Número de pieza	IXFT60N50P3	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 500V 60A TO268	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	18469 pcs	Ficha de datos	IXFT60N50P3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-268
Serie	HiPerFET™, Polar3™	RDS (Max) @Id, Vgs	100 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1040W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6250pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	96nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V
Descripción detallada	N-Channel 500V 60A (Tc) 1040W (Tc) Surface Mount TO-268	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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