SI5519DU-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SI5519DU-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Especificaciones:	SI5519DU-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5066 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5066 pcs

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Especificaciones de SI5519DU-T1-GE3

Número de pieza	SI5519DU-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5066 pcs	Ficha de datos	SI5519DU-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.8V @ 250µA	Paquete del dispositivo	PowerPAK® ChipFet Dual
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Potencia - Max	10.4W	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	PowerPAK® ChipFET™ Dual	Otros nombres	SI5519DU-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	17.5nC @ 10V
Tipo FET	N and P-Channel	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A	Número de pieza base	SI5519

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