ZXMC4559DN8TC

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	ZXMC4559DN8TC
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Especificaciones:	ZXMC4559DN8TC.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	79274 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 79274 pcs

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Especificaciones de ZXMC4559DN8TC

Número de pieza	ZXMC4559DN8TC	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	79274 pcs	Ficha de datos	ZXMC4559DN8TC.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA (Min)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	55 mOhm @ 4.5A, 10V
Potencia - Max	2.1W	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	ZXMC4559DN8TCDICT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1063pF @ 30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20.4nC @ 10V
Tipo FET	N and P-Channel	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 2.1W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.6A, 2.6A

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