Número de pieza | ZXMC3F31DN8TA | Fabricante | Diodes Incorporated |
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Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 160387 pcs | Ficha de datos | ZXMC3F31DN8TA.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Paquete del dispositivo | 8-SO |
Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 24 mOhm @ 7A, 10V |
Potencia - Max | 1.8W | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Otros nombres | ZXMC3F31DN8TADI ZXMC3F31DN8TADI-ND ZXMC3F31DN8TADITR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 26 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 608pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12.9nC @ 10V | Tipo FET | N and P-Channel |
Característica de FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A, 4.9A |
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