DMG6601LVT-7

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMG6601LVT-7
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Especificaciones:	DMG6601LVT-7.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	668833 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 668833 pcs

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Especificaciones de DMG6601LVT-7

Número de pieza	DMG6601LVT-7	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	668833 pcs	Ficha de datos	DMG6601LVT-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	TSOT-26
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	55 mOhm @ 3.4A, 10V
Potencia - Max	850mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	422pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12.3nC @ 10V	Tipo FET	N and P-Channel
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.8A, 2.5A
Número de pieza base	DMG6601

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Después de las ventas
Especificaciones

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