DMG6402LVT-7

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMG6402LVT-7
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Especificaciones:	DMG6402LVT-7.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	609410 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 609410 pcs

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Especificaciones de DMG6402LVT-7

Número de pieza	DMG6402LVT-7	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	609410 pcs	Ficha de datos	DMG6402LVT-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TSOT-26
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	30 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.75W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	DMG6402LVT-7DICT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	498pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11.4nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 6A (Ta) 1.75W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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