SVD5865NLT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	SVD5865NLT4G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
Especificaciones:	SVD5865NLT4G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	179601 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 179601 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.121

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Especificaciones de SVD5865NLT4G

Número de pieza	SVD5865NLT4G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	179601 pcs	Ficha de datos	SVD5865NLT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	16 mOhm @ 19A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.1W (Ta), 71W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	NVD5865NLT4G-ND NVD5865NLT4GOSTR SVD5865NLT4G SVD5865NLT4GOSTR SVD5865NLT4GOSTR-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	29nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 10A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta), 46A (Tc)

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