SVD2955T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	SVD2955T4G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Especificaciones:	SVD2955T4G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	175548 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 175548 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.117

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Especificaciones de SVD2955T4G

Número de pieza	SVD2955T4G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 60V 12A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	175548 pcs	Ficha de datos	SVD2955T4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	180 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	55W (Tj)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	NVD2955T4G NVD2955T4G-ND NVD2955T4GOSTR NVD2955T4GOSTR-ND SVD2955T4GOSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	P-Channel 60V 12A (Ta) 55W (Tj) Surface Mount DPAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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