NTLTD7900ZR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTLTD7900ZR2G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
Especificaciones:	NTLTD7900ZR2G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4903 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4903 pcs

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Especificaciones de NTLTD7900ZR2G

Número de pieza	NTLTD7900ZR2G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4903 pcs	Ficha de datos	NTLTD7900ZR2G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Paquete del dispositivo	Micro8™
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	26 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Potencia - Max	1.5W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-VDFN Exposed Pad	Otros nombres	NTLTD7900ZR2GOS NTLTD7900ZR2GOS-ND NTLTD7900ZR2GOSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15pF @ 16V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 1.5W Surface Mount Micro8™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A	Número de pieza base	NTLTD7900Z

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