NTLLD4901NFTWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTLLD4901NFTWG
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
Especificaciones:	NTLLD4901NFTWG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	106633 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 106633 pcs

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Especificaciones de NTLLD4901NFTWG

Número de pieza	NTLLD4901NFTWG	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	106633 pcs	Ficha de datos	NTLLD4901NFTWG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-WDFN (3x3)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	17.4 mOhm @ 9A, 10V
Potencia - Max	800mW, 810mW	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	NTLLD4901NFTWGOSDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	605pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.5A, 6.3A

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