MTW32N20E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MTW32N20E
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 32A TO-247
Especificaciones:	MTW32N20E.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	5175 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5175 pcs

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Especificaciones de MTW32N20E

Número de pieza	MTW32N20E	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 200V 32A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	5175 pcs	Ficha de datos	MTW32N20E.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	75 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo)	180W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	MTW32N20EOS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5000pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	120nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V
Descripción detallada	N-Channel 200V 32A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	32A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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