FQN1N60CBU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQN1N60CBU
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
Especificaciones:	FQN1N60CBU.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4087 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4087 pcs

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Especificaciones de FQN1N60CBU

Número de pieza	FQN1N60CBU	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4087 pcs	Ficha de datos	FQN1N60CBU.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-92-3
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	11.5 Ohm @ 150mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	1W (Ta), 3W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.2nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Tc)

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