IRFSL59N10D

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRFSL59N10D
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
Especificaciones:	IRFSL59N10D.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	3966 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3966 pcs

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Especificaciones de IRFSL59N10D

Número de pieza	IRFSL59N10D	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CH 100V 59A TO-262	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	3966 pcs	Ficha de datos	IRFSL59N10D.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-262
Serie	HEXFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	25 mOhm @ 35.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.8W (Ta), 200W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Otros nombres	*IRFSL59N10D
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2450pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	114nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 59A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	59A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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