| Número de pieza | FDS5690-NBBM009A | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5378 pcs | Ficha de datos | FDS5690-NBBM009A.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-SO | Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 28 mOhm @ 7A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta) |
| embalaje | Original-Reel® | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | FDS5690-NBBM009ADKR FDS5690_NBBM009ADKR FDS5690_NBBM009ADKR-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1107pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 32nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
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|---|---|---|
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