FDS5672

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDS5672
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
Especificaciones:	FDS5672.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	64937 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64937 pcs

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Especificaciones de FDS5672

Número de pieza	FDS5672	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	64937 pcs	Ficha de datos	FDS5672.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	10 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	FDS5672-ND FDS5672TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	45nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

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