FDMS5352

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS5352
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56
Especificaciones:	FDMS5352.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	55315 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 55315 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.227

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Especificaciones de FDMS5352

Número de pieza	FDMS5352	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	55315 pcs	Ficha de datos	FDMS5352.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PQFN (5x6)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	6.7 mOhm @ 13.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 104W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS5352CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	34 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6940pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	131nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 13.6A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	13.6A (Ta), 49A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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