FDMS3669S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS3669S
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
Especificaciones:	FDMS3669S.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	162399 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 162399 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

3000 pcs: $0.118

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Especificaciones de FDMS3669S

Número de pieza	FDMS3669S	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	162399 pcs	Ficha de datos	FDMS3669S.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.7V @ 250µA	Paquete del dispositivo	Power56
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	10 mOhm @ 13A, 10V
Potencia - Max	1W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS3669STR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1605pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	24nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	13A, 18A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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