FDMS1D5N03

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS1D5N03
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN
Especificaciones:	FDMS1D5N03.pdf
Condición de stock	91281 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de FDMS1D5N03

Número de pieza	FDMS1D5N03	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	91281 pcs	Ficha de datos	FDMS1D5N03.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PQFN (5x6), Power56
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	1.15 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)	83W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS1D5N03CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	39 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9690pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	63nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 218A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	218A (Tc)

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