FDMS0312AS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS0312AS
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 18A PT8
Especificaciones:	FDMS0312AS.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	260006 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 260006 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de FDMS0312AS

Número de pieza	FDMS0312AS	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 18A PT8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	260006 pcs	Ficha de datos	FDMS0312AS.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PQFN (5x6)
Serie	PowerTrench®, SyncFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	5 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 36W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS0312ASTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1815pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	31nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Ta), 22A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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