FDMC3612

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMC3612
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 8-MLP
Especificaciones:	FDMC3612.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	106291 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 106291 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.433

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Especificaciones de FDMC3612

Número de pieza	FDMC3612	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 8-MLP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	106291 pcs	Ficha de datos	FDMC3612.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	110 mOhm @ 3.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.3W (Ta), 35W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	FDMC3612CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	23 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	880pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	21nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 3.3A (Ta), 16A (Tc) 2.3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.3A (Ta), 16A (Tc)

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