FDMC2610

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMC2610
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
Especificaciones:	FDMC2610.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	57839 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57839 pcs

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Especificaciones de FDMC2610

Número de pieza	FDMC2610	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	57839 pcs	Ficha de datos	FDMC2610.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	UniFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	200 mOhm @ 2.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.1W (Ta), 42W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	FDMC2610DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	18nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V
Descripción detallada	N-Channel 200V 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Ta), 9.5A (Tc)

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