FDG6316P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDG6316P
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
Especificaciones:	FDG6316P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	429631 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 429631 pcs

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Especificaciones de FDG6316P

Número de pieza	FDG6316P	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	429631 pcs	Ficha de datos	FDG6316P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SC-70-6
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	270 mOhm @ 700mA, 4.5V
Potencia - Max	300mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Otros nombres	FDG6316P-ND FDG6316PTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	146pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V	Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 700mA 300mW Surface Mount SC-70-6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	700mA

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Especificaciones

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