FDG6308P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDG6308P
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
Especificaciones:	FDG6308P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	240766 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 240766 pcs

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Especificaciones de FDG6308P

Número de pieza	FDG6308P	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	240766 pcs	Ficha de datos	FDG6308P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SC-70-6
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Potencia - Max	300mW	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Otros nombres	FDG6308PCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	153pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	600mA

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