FDB86135

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDB86135
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V D2PAK
Especificaciones:	FDB86135.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	15225 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15225 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $2.884

10 pcs: $2.575

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Especificaciones de FDB86135

Número de pieza	FDB86135	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	15225 pcs	Ficha de datos	FDB86135.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D²PAK (TO-263AB)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	3.5 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.4W (Ta), 227W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	FDB86135CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7295pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	116nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 75A (Tc) 2.4W (Ta), 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)

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