FDB86102LZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDB86102LZ
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
Especificaciones:	FDB86102LZ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	83105 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 83105 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de FDB86102LZ

Número de pieza	FDB86102LZ	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	83105 pcs	Ficha de datos	FDB86102LZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263AB
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	24 mOhm @ 8.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.1W (Ta)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	FDB86102LZDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1275pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	21nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8.3A (Ta), 30A (Tc)

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Especificaciones

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