FCP16N60N-F102

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FCP16N60N-F102
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
Especificaciones:	FCP16N60N-F102.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	28686 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 28686 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

800 pcs: $1.287

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Especificaciones de FCP16N60N-F102

Número de pieza	FCP16N60N-F102	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 16A TO220F	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	28686 pcs	Ficha de datos	FCP16N60N-F102.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220F
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	199 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)	134.4W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	FCP16N60N_F102 FCP16N60N_F102-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2170pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	52.3nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 16A (Tc) 134.4W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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