FCP165N65S3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FCP165N65S3
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	SF3 650V 165MOHM E TO220
Especificaciones:	FCP165N65S3.pdf
Condición de stock	54733 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54733 pcs

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Especificaciones de FCP165N65S3

Número de pieza	FCP165N65S3	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	SF3 650V 165MOHM E TO220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	54733 pcs	Ficha de datos	FCP165N65S3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 1.9mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	SuperFET® III	RDS (Max) @Id, Vgs	165 mOhm @ 9.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	154W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-220-3
Otros nombres	FCP165N65S3-ND FCP165N65S3OS	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	Not Applicable
Estado sin plomo	Lead free	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	39nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V	Descripción detallada	N-Channel 650V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)

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