BYR29-800,127

WeEn Semiconductors Co., Ltd

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Descripción del producto

Número de pieza:	BYR29-800,127
Fabricante / Marca:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
Especificaciones:	BYR29-800,127.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	143635 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 143635 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

5000 pcs: $0.148

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Especificaciones de BYR29-800,127

Número de pieza	BYR29-800,127	Fabricante	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descripción	DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	143635 pcs	Ficha de datos	BYR29-800,127.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.5V @ 8A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	800V
Paquete del dispositivo	TO-220AC	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	75ns
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	TO-220-2
Otros nombres	933722330127 BYR29-800 BYR29-800-ND	Temperatura de funcionamiento - Junction	150°C (Max)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 800V 8A Through Hole TO-220AC	Corriente - Fuga inversa a Vr	10µA @ 800V
Corriente - rectificada media (Io)	8A	Capacitancia Vr, F	-
Número de pieza base	BYR29-800

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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