SUP85N10-10-GE3

Vishay Siliconix

La imagen puede ser representación. Ver especificaciones para detalles del producto.

Descripción del producto

Número de pieza:	SUP85N10-10-GE3
Fabricante / Marca:	Vishay / Siliconix
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Especificaciones:	1.SUP85N10-10-GE3.pdf 2.SUP85N10-10-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	20482 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 20482 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $2.43

10 pcs: $2.183

25 pcs: $2.064

100 pcs: $1.789

250 pcs: $1.697

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Especificaciones de SUP85N10-10-GE3

Número de pieza	SUP85N10-10-GE3	Fabricante	Vishay Siliconix
Descripción	MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	20482 pcs	Ficha de datos	1.SUP85N10-10-GE3.pdf 2.SUP85N10-10-GE3.pdf
Voltaje - Prueba	6550pF @ 25V	VGS (th) (Max) @Id	10.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max)	4.5V, 10V	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®	Estado RoHS	Digi-Reel®
RDS (Max) @Id, Vgs	85A (Tc)	Polarización	TO-220-3
Otros nombres	SUP85N10-10-GE3DKR	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Número de pieza del fabricante	SUP85N10-10-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	160nC @ 10V	Tipo de IGBT	±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3V @ 250µA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100V
relación de capacidades	3.75W (Ta), 250W (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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