SIHS90N65E-E3

Vishay Siliconix

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIHS90N65E-E3
Fabricante / Marca:	Vishay / Siliconix
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
Especificaciones:	SIHS90N65E-E3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6305 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6305 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $7.643

10 pcs: $7.05

25 pcs: $6.733

100 pcs: $6.02

250 pcs: $5.743

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Especificaciones de SIHS90N65E-E3

Número de pieza	SIHS90N65E-E3	Fabricante	Vishay Siliconix
Descripción	MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6305 pcs	Ficha de datos	SIHS90N65E-E3.pdf
Voltaje - Prueba	11826pF @ 100V	Tensión - Desglose	SUPER-247 (TO-274AA)
VGS (th) (Max) @Id	29 mOhm @ 45A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Estado RoHS	Digi-Reel®	RDS (Max) @Id, Vgs	87A (Tc)
Polarización	TO-247-3	Otros nombres	SIHS90N65E-E3DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	14 Weeks
Número de pieza del fabricante	SIHS90N65E-E3	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	591nC @ 10V
Tipo de IGBT	±30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4V @ 250µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 650V 87A (Tc) 625W (Tc) Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	650V	relación de capacidades	625W (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
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