SIHD5N50D-GE3

Vishay Siliconix

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIHD5N50D-GE3
Fabricante / Marca:	Vishay / Siliconix
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Especificaciones:	SIHD5N50D-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4734 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4734 pcs

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Especificaciones de SIHD5N50D-GE3

Número de pieza	SIHD5N50D-GE3	Fabricante	Vishay Siliconix
Descripción	MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4734 pcs	Ficha de datos	SIHD5N50D-GE3.pdf
Voltaje - Prueba	325pF @ 100V	Tensión - Desglose	TO-252AA
VGS (th) (Max) @Id	1.5 Ohm @ 2.5A, 10V	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-	Estado RoHS	Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs	5.3A (Tc)	Polarización	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	SIHD5N50D-GE3TR SIHD5N50DGE3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	SIHD5N50D-GE3	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	20nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5V @ 250µA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	500V
relación de capacidades	104W (Tc)

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Especificaciones

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