VS-8EWS10SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Descripción del producto

Número de pieza:	VS-8EWS10SPBF
Fabricante / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Especificaciones:	VS-8EWS10SPBF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4241 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4241 pcs

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Especificaciones de VS-8EWS10SPBF

Número de pieza	VS-8EWS10SPBF	Fabricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción	DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4241 pcs	Ficha de datos	VS-8EWS10SPBF.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	8A
Tensión - Desglose	D-Pak	Serie	-
Estado RoHS	Tube	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	8EWS10SPBF 8EWS10SPBF-ND Q3788738 VS-8EWS10SPBF-ND VS-8EWS10SPBFGI	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	VS-8EWS10SPBF
Descripción ampliada	Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D-Pak	configuración de diodo	50µA @ 1000V
Descripción	DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK	Corriente - Fuga inversa a Vr	1.1V @ 8A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	1000V (1kV)	Capacitancia Vr, F	-55°C ~ 150°C

Modo de transporte
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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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