VS-1EFH01W-M3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Descripción del producto

Número de pieza:	VS-1EFH01W-M3-18
Fabricante / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 100V 1A SMF
Especificaciones:	VS-1EFH01W-M3-18.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5538 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5538 pcs

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Especificaciones de VS-1EFH01W-M3-18

Número de pieza	VS-1EFH01W-M3-18	Fabricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción	DIODE GEN PURP 100V 1A SMF	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5538 pcs	Ficha de datos	VS-1EFH01W-M3-18.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1A
Tensión - Desglose	SMF (DO-219AB)	Serie	FRED Pt®
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	DO-219AB
Otros nombres	VS-1EFH01W-M3-18GITR	Temperatura de funcionamiento - Junction	16ns
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	VS-1EFH01W-M3-18	Descripción ampliada	Diode Standard 100V 1A Surface Mount SMF (DO-219AB)
configuración de diodo	2µA @ 100V	Descripción	DIODE GEN PURP 100V 1A SMF
Corriente - Fuga inversa a Vr	930mV @ 1A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	100V
Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 175°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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