| Número de pieza | US1A-E3/5AT | Fabricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 587288 pcs | Ficha de datos | 1.US1A-E3/5AT.pdf2.US1A-E3/5AT.pdf |
| Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1A |
| Tensión - Desglose | DO-214AC (SMA) | Serie | - |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | 15pF @ 4V, 1MHz | Polarización | DO-214AC, SMA |
| Otros nombres | US1A-E3/5AT-ND US1A-E3/5ATGITR US1AE35AT |
Temperatura de funcionamiento - Junction | 50ns |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 27 Weeks | Número de pieza del fabricante | US1A-E3/5AT |
| Descripción ampliada | Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) | configuración de diodo | 10µA @ 50V |
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC | Corriente - Fuga inversa a Vr | 1V @ 1A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 50V | Capacitancia Vr, F | -55°C ~ 150°C |
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|---|---|---|
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