TK17A80W,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK17A80W,S4X
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Especificaciones:	TK17A80W,S4X.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	43072 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43072 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.489

10 pcs: $1.329

50 pcs: $1.196

100 pcs: $1.09

250 pcs: $0.983

500 pcs: $0.882

1000 pcs: $0.744

2500 pcs: $0.707

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Especificaciones de TK17A80W,S4X

Número de pieza	TK17A80W,S4X	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	43072 pcs	Ficha de datos	TK17A80W,S4X.pdf
Voltaje - Prueba	2050pF @ 300V	Tensión - Desglose	TO-220SIS
VGS (th) (Max) @Id	290 mOhm @ 8.5A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	DTMOSIV
Estado RoHS	Tube	RDS (Max) @Id, Vgs	17A (Ta)
Polarización	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	TK17A80W,S4X(S TK17A80WS4X
Temperatura de funcionamiento	150°C	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks
Número de pieza del fabricante	TK17A80W,S4X	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	32nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4V @ 850µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 800V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	800V	relación de capacidades	45W (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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