TK17E80W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK17E80W,S1X
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Especificaciones:	TK17E80W,S1X.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	37808 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 37808 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.748

50 pcs: $1.405

100 pcs: $1.28

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Especificaciones de TK17E80W,S1X

Número de pieza	TK17E80W,S1X	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	37808 pcs	Ficha de datos	TK17E80W,S1X.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 850µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220
Serie	DTMOSIV	RDS (Max) @Id, Vgs	290 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	180W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	TK17E80W,S1X(S TK17E80WS1X
Temperatura de funcionamiento	150°C	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2050pF @ 300V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	32nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V
Descripción detallada	N-Channel 800V 17A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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