TPCF8107,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TPCF8107,LF
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
Especificaciones:	TPCF8107,LF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4703 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4703 pcs

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Especificaciones de TPCF8107,LF

Número de pieza	TPCF8107,LF	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET P-CH 30V 6A VS-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4703 pcs	Ficha de datos	TPCF8107,LF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 100µA	Vgs (Max)	+20V, -25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	VS-8 (2.9x1.5)
Serie	U-MOSVI	RDS (Max) @Id, Vgs	28 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	700mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-SMD, Flat Lead	Otros nombres	TPCF8107,LFCMCT TPCF8107,LFCMCT-ND TPCF8107LFCMCT TPCF8107LFCMCT-ND TPCF8107LFCT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	970pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	22nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)

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