TK8A60W5,S5VX

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK8A60W5,S5VX
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 8A TO-220SIS
Especificaciones:	TK8A60W5,S5VX.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	67684 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67684 pcs

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Especificaciones de TK8A60W5,S5VX

Número de pieza	TK8A60W5,S5VX	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 600V 8A TO-220SIS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	67684 pcs	Ficha de datos	TK8A60W5,S5VX.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 400µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220SIS
Serie	DTMOSIV	RDS (Max) @Id, Vgs	540 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	30W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	TK8A60W5,S5VX(M TK8A60W5S5VX
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 300V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	22nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)

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